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    ECCN: EAR99
    工作温度: -55°C~175°C(TJ)
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    类型: N 通道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5612

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660 pF @ 30 V

    连续漏极电流:5.4A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    功率:85W(Tc)

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

    连续漏极电流:35A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP020N06NAKSA1

    栅极电荷:106 nC @ 10 V

    功率:3W(Ta),214W(Tc)

    连续漏极电流:29A(Ta),120A(Tc)

    阈值电压:2.8V @ 143µA

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    输入电容:7800 pF @ 30 V

    包装方式:管件

    导通电阻:2 毫欧 @ 100A,10V

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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