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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC320N20NS3GATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350 pF @ 100 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1758}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC320N20NS3GATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350 pF @ 100 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1758}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC320N20NS3GATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350 pF @ 100 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA32P20T
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：14500 pF @ 25 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：130 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1758}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC320N20NS3GATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350 pF @ 100 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU10N20CTU
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：50W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：510 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：360 毫欧 @ 3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1758}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC320N20NS3GATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350 pF @ 100 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），55W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080 pF @ 25 V
连续漏极电流：9A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：280 毫欧 @ 4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：52W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110 pF @ 100 V
连续漏极电流：18.6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA32P20T
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：14500 pF @ 25 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：130 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
