采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KLHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KRC14
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEGC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：4V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2080pF@800V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW015N65C，S1F
工作温度：175℃
功率：342W
阈值电压：5V@11.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@400V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4026DRC15
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@15.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2320pF@500V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@29A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KLHRC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N055MHE-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4026DRC15
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@15.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2320pF@500V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@29A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04MUG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€217W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4026DRC15
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@15.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2320pF@500V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@29A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3030ARC14
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@13.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1526pF@500V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3030ARHRC15
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@13.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1526pF@500V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022KLGC11
工作温度：175℃
功率：427W
阈值电压：5.6V@18.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2879pF@800V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4018KRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@22.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4532pF@800V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：23.4mΩ@42A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3030ALHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@13.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1526pF@500V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KEHRC11
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2335pF@800V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3105KLHRC11
工作温度：175℃
功率：134W
阈值电压：5.6V@3.81mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@18V
包装方式：管件
输入电容：574pF@800V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@7.6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3160KLHRC11
工作温度：175℃
功率：103W
阈值电压：5.6V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@18V
包装方式：管件
输入电容：398pF@800V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KRHRC15
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2335pF@800V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3105KLHRC11
工作温度：175℃
功率：134W
阈值电压：5.6V@3.81mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@18V
包装方式：管件
输入电容：574pF@800V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@7.6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DRC15
工作温度：175℃
功率：312W
阈值电压：4.8V@30.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
