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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：198821，"MI+"：30000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3706
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1882pF@10V
连续漏极电流：14.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：235，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2694pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：235，"23+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3585EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.57A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3585EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.57A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD306P
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@6V
连续漏极电流：6.7A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1563AEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@10V€84pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4465
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8237pF@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
