品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":87,"20+":890}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":20000,"17+":4000,"18+":16954}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1489}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8201,"19+":13451}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":23,"20+":850,"22+":26}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB140N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8201,"19+":13451}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8201,"19+":13451}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: