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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：434，"23+"：38969，"24+"：2782，"MI+"：15743}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3785pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
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规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
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生产批次：{"22+"：434，"23+"：38969，"24+"：2782，"MI+"：15743}
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规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
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栅极电荷：47.1nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
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栅极电荷：47.1nC@10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
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输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3785pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：434，"23+"：38969，"24+"：2782，"MI+"：15743}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€100W
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栅极电荷：47.1nC@10V
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输入电容：2962pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.1nC@10V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
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功率：2.1W€100W
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栅极电荷：47.1nC@10V
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连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
功率：2.1W€100W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：47.1nC@10V
类型：N沟道
输入电容：2962pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3-13
功率：2.1W€100W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：47.1nC@10V
类型：N沟道
输入电容：2962pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S409ATMA2
阈值电压：4V@34µA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：47.1nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：71W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
输入电容：3785pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：9mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6005LK3Q-13
功率：2.1W€100W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：47.1nC@10V
类型：N沟道
输入电容：2962pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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