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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订411个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订411个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":866}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB5620PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订1091个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订1091个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M20-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M20-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M20-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:598pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y29-40E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y29-40E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y29-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:664pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD417

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":866}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB5620PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN041-80YLX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN041-80YLX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN041-80YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1108pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB5620PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M20-40HX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M20-40HX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M20-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:598pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN041-80YLX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN041-80YLX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN041-80YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1108pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订12500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订12500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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