品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KE-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2469}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C16NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.37W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":195103}
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKT,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW€770mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2444pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA929DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KWA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKMB,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23382F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9933USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608.4pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: