采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900pF@20V
连续漏极电流：31A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR165DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：39000，"15+"：125229}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS32302
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@15V
连续漏极电流：56A€220A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€28W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
