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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8588CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:527pF@30V€436pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM950N10CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM950N10CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM950N10CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8588CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:527pF@30V€436pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS123W RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS123W RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123W RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@50V

    连续漏极电流:160mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@160mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N10CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.17W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.17W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM950N10CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM950N10CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM950N10CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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