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    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT24F50B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT24F50B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT24F50B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6120pF@15V

    连续漏极电流:26A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@10V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AEF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AEF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1889pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3477DV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3477DV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":29627,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660AS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660AS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6120pF@15V

    连续漏极电流:26A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@10V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3477DV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3477DV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AEF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N80AEF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1889pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4186DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3630pF@10V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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