采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7588，"23+"：40000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：12A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R150G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R190C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：290，"17+"：134}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500，"17+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R600E6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R190C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：68398，"22+"：1006，"23+"：2000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R150G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：80，"17+"：18000，"19+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R600E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R190C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7716ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA95R750P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4134DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
