首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订1961个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订1961个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU8P10TU 起订897个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU8P10TU 起订897个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":16500,"22+":5040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU8P10TU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1 起订725个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1 起订725个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2574,"22+":3377}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0803NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€43W

    阈值电压:2.3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:7.7A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:478pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1 起订1158个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1 起订1158个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":38035}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1 起订1082个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1 起订1082个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:[]

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF2N80YDTU 起订317个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@750mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF5N50T 起订584个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF5N50T 起订584个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":38855,"10+":8055,"11+":2000,"12+":8954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1 起订1075个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1 起订1075个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4474}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0504NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:21A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R900P7AKMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R900P7AKMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":14000,"23+":10500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R900P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧