品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"23+":14870,"24+":3831,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW90R500C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2872,"22+":956,"23+":2773}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":238}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:14.9A€90A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":238}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R060C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17576Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4430pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:10.6A€71A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":118,"23+":1395}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:10.6A€71A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R060C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: