首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    工作温度
    包装方式
    行业应用
    漏源导通电阻
    栅源击穿电压
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 散装
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):917psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB20N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1640pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 J113 起订6个装
    onsemi 结型场效应管 J113 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    漏源导通电阻:100Ω

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    功率:625mW

    栅源击穿电压:35V

    栅源截止电压:500mV@1µA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:2mA@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912C TO-71 6L ROHS 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912C TO-71 6L ROHS 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:5pF@10V

    功率:500mW

    栅源击穿电压:25V

    栅源截止电压:1V@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:7mA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912 TO-71 6L ROHS 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912 TO-71 6L ROHS 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:5pF@10V

    功率:500mW

    栅源击穿电压:25V

    栅源截止电压:1V@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:7mA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK46N50L 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK46N50L 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK46N50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@15V

    包装方式:散装

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,20V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0080120D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:950pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206A 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905L 起订159个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905L 起订159个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":187,"18+":1077}

    包装规格(MPQ):132psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订2113个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170 起订2113个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":59743,"23+":1275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}

    包装规格(MPQ):233psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€26W€2.3W€42W

    阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V

    连续漏极电流:19A€70A€37A€164A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订342个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订342个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4947}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:9821pF@15V

    连续漏极电流:23A€246A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 J109 起订100个装
    onsemi 结型场效应管 J109 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    漏源导通电阻:12Ω

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    功率:625mW

    栅源击穿电压:25V

    栅源截止电压:2V@10nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:40mA@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LSK389A TO-71 6L ROHS 起订100个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LSK389A TO-71 6L ROHS 起订100个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:25pF@10V

    功率:400mW

    栅源击穿电压:40V

    栅源截止电压:300mV@1µA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:2.6mA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912 TO-78 6L 起订10个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 LS5912 TO-78 6L 起订10个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:5pF@10V

    功率:500mW

    栅源击穿电压:25V

    栅源截止电压:1V@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:7mA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP165N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}

    包装规格(MPQ):144psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP165N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:154W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4931NT1G-IRH1 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4947}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:9821pF@15V

    连续漏极电流:23A€246A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 J113 起订5000个装
    onsemi 结型场效应管 J113 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    漏源导通电阻:100Ω

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    功率:625mW

    栅源击穿电压:35V

    栅源截止电压:500mV@1µA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:散装

    漏源饱和电流:2mA@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD020PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD020PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧