品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):917psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:散装
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):181psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK46N50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@15V
包装方式:散装
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@500mA,20V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":187,"18+":1077}
包装规格(MPQ):132psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF4905L
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59743,"23+":1275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: