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    行业应用
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 200V
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC6320K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V€125pF@25V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC7920K6-G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC7920K6-G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC7920K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@25V€54pF@25V

    类型:2个N通道和2个P通道

    导通电阻:10Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC8220K6-G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC8220K6-G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC8220K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@25V€75pF@25V

    类型:2个N通道和2个P通道

    导通电阻:6Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC7920K6-G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC7920K6-G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC7920K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@25V€54pF@25V

    类型:2个N通道和2个P通道

    导通电阻:10Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7820TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF610PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2672 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2535pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@100V

    连续漏极电流:35.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR616DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR616DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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