品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC6320K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V€125pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@100V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC7920K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@25V€54pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:10Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC8220K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@25V€75pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:6Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC7920K6-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@25V€54pF@25V
类型:2个N通道和2个P通道
导通电阻:10Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF610PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2535pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:50.5mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: