品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":42441}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3383-TL-H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":16318}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:467pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW€1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.14A€1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW€1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.14A€1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":42807,"15+":76107}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:417mW
阈值电压:680mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@9.6V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: