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    12V
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    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 12V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOCA24106E 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOCA24106E 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOCA24106E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":42441}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3383-TL-H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":16318}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1791pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":42807,"15+":76107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:680mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@9.6V

    连续漏极电流:750mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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