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    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR44N50Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR44N50Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR44N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:154mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CPXKSA1 起订127个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CPXKSA1 起订127个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":139}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1533pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R090CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R090CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R090CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:124W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R125CPXKSA1 起订127个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R125CPXKSA1 起订127个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":500,"17+":1000,"20+":500,"MI+":490}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R125CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87588NT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:736pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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