品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30025}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":798}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@12.5V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.35mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:3.5V@960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4525pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2604,"22+":4050,"23+":537}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:3.5V@960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS468DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: