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    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 4A
    当前匹配商品:900+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3407SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:57mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPE,115 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPE,115 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:268pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C 起订462个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C 起订462个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5454}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF4N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:960pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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