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    6A
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    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 6A
    当前匹配商品:800+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA037N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@40V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:478pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:82mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD6N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.29W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C 起订565个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C 起订565个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4000,"18+":7000,"22+":720,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4807

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDATMA1 起订433个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R660CFDATMA1 起订433个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":827}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C 起订360个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N90C 起订360个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD06N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD06N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA037N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@40V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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