采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2582pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB29S50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@14.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB29S50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@14.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2582pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
