品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":173000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6350S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6350SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:627pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@500V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@400mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8816EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB150UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:93pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: