采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8851EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：7.7A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4455，"20+"：1633}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：3.5A€13A
类型：P沟道
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：16500，"22+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU8P10TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SL3407-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：3.8A€5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ407EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4401P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3228pF@15V
连续漏极电流：10A€50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：3970pF@15V
连续漏极电流：11.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS015P03P8ZTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.66W€33.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：13.4A€47.6A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
