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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@10V
连续漏极电流：8.5A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A€1.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：77mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6020CAKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N和P沟道
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7509TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.7A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：110mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3585CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W€1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：3.9A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7540ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：12A€9A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：2.5A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8858CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：8.6A€7.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：17mΩ@8.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFC013NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€102W
阈值电压：3V@158µA€4V@158µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流：9A€60A€5A€36A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8097AC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V€230pF@75V
连续漏极电流：2.4A€900mA
类型：N和P沟道
导通电阻：155mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD235CH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1.6µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@10V
连续漏极电流：950mA€530mA
类型：N和P沟道
导通电阻：350mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6327C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V
连续漏极电流：2.7A€1.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@10V
连续漏极电流：8.5A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
