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    行业应用
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N和P沟道
    当前匹配商品:1700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC6320K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V€125pF@25V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W€3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFC013NP10M5L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFC013NP10M5L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€102W

    阈值电压:3V@158µA€4V@158µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V

    连续漏极电流:9A€60A€5A€36A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8097AC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8097AC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8097AC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@75V€230pF@75V

    连续漏极电流:2.4A€900mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1.6µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:47pF@10V

    连续漏极电流:950mA€530mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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