品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22095}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1.6µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:880mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@880mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50mA
类型:4个N通道
导通电阻:75Ω@1mA,5V
漏源电压:10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50mA
类型:4个N通道
导通电阻:75Ω@1mA,5V
漏源电压:10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":173000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS126H6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.6V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@25V
连续漏极电流:21mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:500mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:7mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR315PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:176pF@25V
连续漏极电流:620mA
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@620mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2741}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: