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    1W
    行业应用
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 1W
    当前匹配商品:1000+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订579个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订579个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":42441}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3383-TL-H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7608S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7608S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7608S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:12A€15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订647个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S 起订647个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":27280,"MI+":100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS9620S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7620S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€12.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€27A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订493个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订493个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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