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    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD5110NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:294mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1035X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:400mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:180mA€145mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订5556个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订5556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS223PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@1.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.62nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@15V

    连续漏极电流:390mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":104400,"12+":103691,"13+":134453}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS123,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@120mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2303-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2303-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:226pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004VK-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004VK-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004VK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS223PWH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS223PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.2V@1.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.62nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@15V

    连续漏极电流:390mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订16个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订16个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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