品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:3.9V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI740GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@3.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5791}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ73ALHXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1342pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1342pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI740GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@3.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1342pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5791}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ73ALHXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: