采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5791}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ73ALHXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120NTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：480mΩ@3.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5791}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ73ALHXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
