采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG64N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：369nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7497pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG64N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：369nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7497pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG73N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：362nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7700pF@100V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@36A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JFLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG73N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：362nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7700pF@100V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@36A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG64N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：369nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7497pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：APT5010LFLLG
功率：520W
漏源电压：500V
导通电阻：100mΩ@23A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4360pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：5V@2.5mA
连续漏极电流：46A
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：APT5010LLLG
功率：520W
漏源电压：500V
导通电阻：100mΩ@23A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4360pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：5V@2.5mA
连续漏极电流：46A
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010B2FLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG73N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：362nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7700pF@100V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@36A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG64N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：369nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7497pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JFLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG73N60E-GE3
功率：520W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：362nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：73A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：7700pF@100V
导通电阻：39mΩ@36A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
