品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG73N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:362nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7700pF@100V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50M65JFLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7010pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@29A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG73N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:362nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7700pF@100V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010LLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@23A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):APT5010LFLLG
功率:520W
漏源电压:500V
导通电阻:100mΩ@23A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4360pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:5V@2.5mA
连续漏极电流:46A
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50M65JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7010pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@29A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@23A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):APT5010LLLG
功率:520W
漏源电压:500V
导通电阻:100mΩ@23A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4360pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:5V@2.5mA
连续漏极电流:46A
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010B2FLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@23A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010LLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@23A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG73N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:362nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7700pF@100V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@23A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50M65JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7010pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@29A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:369nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7497pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50M65JFLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7010pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@29A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG73N60E-GE3
功率:520W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:362nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:73A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:7700pF@100V
导通电阻:39mΩ@36A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: