采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA312B-600CT，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：95A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8667-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
工作温度：150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX700N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA225-600B，127
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：60mA
浪涌电流(Itsm)：190A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002ZPTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：180mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF016N05TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC3J018NUZTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J013NUZTDG
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
