采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：500}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4830，"11+"：615624}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH2825-TL-E
工作温度：-55℃~125℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4830，"11+"：615624}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH2825-TL-E
工作温度：-55℃~125℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~125℃
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：10V
阈值电压：1.5V@1µA
导通电阻：50Ω@1mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~125℃
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：10V
阈值电压：1.5V@1µA
导通电阻：50Ω@1mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3DT
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~125℃
阈值电压：3.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：5.3A€17.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
