品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TG35C60
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):30mA
浪涌电流(Itsm):300A
工作温度:-25℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):35A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:盒
门极触发电压(Vgt):3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
功率:360mW
类型:N沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:330mA
输入电容:46pF@5V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TG35C60
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):30mA
浪涌电流(Itsm):300A
工作温度:-25℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):35A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:盒
门极触发电压(Vgt):3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: