采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GA101
断态峰值电压(Vdrm)：60V
类型：1个单向可控硅
ECCN：EAR99
工作温度：-65℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：200mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：621，"19+"：3，"21+"：2678，"23+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GA101
断态峰值电压(Vdrm)：60V
类型：1个单向可控硅
ECCN：EAR99
工作温度：-65℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：200mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：20μA
特征频率：25MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：20μA
特征频率：25MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.8V@250μA
导通电阻：65mΩ@10V，5A
连续漏极电流：5A
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：690pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TIP120G
集电极电流(Ic)：5A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
晶体管类型：NPN
包装方式：管件
集电集截止电流(Icbo)：500μA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
工作温度：-65℃~+150℃
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP120G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD112T4G
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A
特征频率：25MHz
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：20μA
工作温度：-65℃~+150℃
集射极击穿电压(Vceo)：100V
功率：20W
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.8V@250μA
导通电阻：65mΩ@10V，5A
连续漏极电流：5A
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：690pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
