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    ECCN
    工作温度
    漏源电压
    30V
    行业应用
    类型
    功率
    连续漏极电流
    ECCN: EAR99
    工作温度: -65℃~150℃
    漏源电压: 30V
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":23452,"16+":126}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":23452,"16+":126}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订500个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订500个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订100个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订100个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP100,135
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP100,135

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14720}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP100,135
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP100,135

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14720}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":217,"23+":15311}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订1000个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订1000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":217,"23+":15311}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订2000个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7004 TR PBFREE 起订2000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7004 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:1.78A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH108,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH108,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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