销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1