销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@2A，40mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100μA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

特征频率：50MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@7A，4V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@7mA，7A

集电集截止电流(Icbo)：100μA

晶体管类型：PNP

功率：100W

集电极电流(Ic)：10A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1