包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CP527-2N6299-CT5

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

集电集截止电流(Icbo)：500μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@80mA，8A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@4A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CP527-2N6299-CT5

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

集电集截止电流(Icbo)：500μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@80mA，8A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@4A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，10A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

集电极电流(Ic)：20A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

晶体管类型：PNP

特征频率：4MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@20A，200mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：75psc

规格型号(MPN)：MJD127G

集电集截止电流(Icbo)：10μA

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1