包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVNJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BU941ZPFI

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：15A

功率：65W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1