品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMST6427-7-F
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV29,115
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":2990,"20+":3000,"21+":2758416,"22+":88822}
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMST6427-7-F
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14LT1G
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427-7-F
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:350mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14LT1G
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SMMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:350mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"16+":134000,"21+":31000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14-7-F
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: