品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
功率:250mW
集电极电流(Ic):500mA
特征频率:220MHz
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
功率:250mW
集电极电流(Ic):500mA
特征频率:220MHz
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集电极电流(Ic):1.2A
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
功率:1W
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SMMBTA14LT1G
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集电极电流(Ic):1.2A
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
功率:1W
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
晶体管类型:NPN
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):900mA
特征频率:140MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电集截止电流(Icbo):100nA
功率:806mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
晶体管类型:NPN
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):900mA
特征频率:140MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
功率:806mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):PMBTA14,215
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:250mW
集电极电流(Ic):500mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV29,115
功率:1.3W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
集电极电流(Ic):500mA
特征频率:220MHz
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):PMBTA14,215
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:250mW
集电极电流(Ic):500mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集电极电流(Ic):1.2A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
工作温度:55℃~150℃
特征频率:220MHz
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
功率:350mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
功率:625mW
晶体管类型:NPN
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):900mA
特征频率:140MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集电极电流(Ic):1.2A
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
功率:1W
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMSTA14-7-F
特征频率:125MHz
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
工作温度:55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集电极电流(Ic):1.2A
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
工作温度:55℃~150℃
特征频率:220MHz
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):100nA
功率:350mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV29,115
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":2990,"20+":3000,"21+":2758416,"22+":88822}
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA14LT1G
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:350mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT634QTA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):900mA
功率:806mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: