销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD560RTSTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"16+":134000,"21+":31000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270TG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270TG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"07+":2700,"09+":1718,"10+":2023,"13+":1500,"14+":35404}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCP49H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCP49H6327XTSA1
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP 52 E6327
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP 52 E6327
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.8V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJE270G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:6MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@1.2mA,120mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@120mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD560RTSTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD560RTSTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存: