销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11016G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11016G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

ECCN：EAR99

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：带盒（TB）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11016G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11028G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：50A

功率：300W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.5V@500mA，50A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@25A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11016G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：300，"11+"：250，"15+"：252，"16+"：167，"18+"：270}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11012G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

ECCN：EAR99

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX605

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：105，"08+"：179，"11+"：33824，"12+"：40400，"15+"：405}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11028G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：50A

功率：300W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.5V@500mA，50A

ECCN：EAR99

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@25A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601B

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11032G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：50A

功率：300W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.5V@500mA，50A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@25A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX605

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11028G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：50A

功率：300W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.5V@500mA，50A

包装方式：托盘

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@25A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX605

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601STZ

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：带盒（TB）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1