销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):820@10mA,5V
集电极电流(Ic):400mA
集射极击穿电压(Vceo):20V
功率:150mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):820@10mA,5V
集电极电流(Ic):400mA
集射极击穿电压(Vceo):20V
功率:150mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):820@10mA,5V
集电极电流(Ic):400mA
集射极击穿电压(Vceo):20V
功率:150mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:10KΩ
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特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
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集电极电流(Ic):400mA
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晶体管类型:NPN
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):400mA
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功率:150mW
晶体管类型:NPN
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV
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集电极电流(Ic):400mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):400mA
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特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
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直流增益(hFE@Ic,Vce):820@10mA,5V
集电极电流(Ic):400mA
集射极击穿电压(Vceo):20V
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输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):20V
特征频率:35MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
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集电极电流(Ic):400mA
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功率:150mW
晶体管类型:NPN
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直流增益(hFE@Ic,Vce):820@10mA,5V
集电极电流(Ic):400mA
集射极击穿电压(Vceo):20V
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集电极电流(Ic):400mA
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特征频率:35MHz
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集电极电流(Ic):400mA
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特征频率:35MHz
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晶体管类型:NPN
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分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极电流(Ic):400mA
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特征频率:35MHz
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晶体管类型:NPN
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