销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：270mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：270mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：270mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-30mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP/PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1