生产批次：{"17+"：37520}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：320mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：330mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：330mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

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输入电阻：1kΩ

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特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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ECCN：EAR99

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特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

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晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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集射极击穿电压(Vceo)：12V

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包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

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生产批次：{"18+"：3000，"19+"：36000，"21+"：6000}

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

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输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

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功率：330mW

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包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

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输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

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包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

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包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1