销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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特征频率：250MHz

功率：150mW

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

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晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

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特征频率：250MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

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特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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特征频率：250MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

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输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

功率：150mW

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

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特征频率：250MHz

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1