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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))
    输入电阻
    晶体管类型: PNP-预偏压
    集电极电流(Ic): 100mA
    行业应用: 工业
    功率: 150mW
    集电集截止电流(Icbo): 1µA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    NXP 数字晶体管 PDTA124XE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA124XE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":25120}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA143ZE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTA143ZE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":6000,"10+":9000,"11+":6000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123JE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123JE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA144TE,115 起订8013个装
    NXP 数字晶体管 PDTA144TE,115 起订8013个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订10684个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订10684个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123JE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123JE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":24000,"15+":143060,"9999":2888}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA113ZE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA113ZE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":24000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123YE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123YE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA143EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA143EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":17321,"12+":1518}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123TE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123TE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA113EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA113EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":22000,"11+":81000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@1.5mA,30mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@40mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA124EE,115 起订15823个装
    NXP 数字晶体管 PDTA124EE,115 起订15823个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":1500,"10+":71010,"13+":54948}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装
    NXP 数字晶体管 PDTA123EE,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"09+":3124,"10+":19543,"13+":696,"14+":57000}

    输入电阻:2.2kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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