采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
功率：150mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：98700，"20+"：10000}
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@40mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@1.5mA，30mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
特征频率：150MHz
集电极电流(Ic)：500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
功率：325mW
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
输入电阻：1kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：300mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，10V
输入电阻：1kΩ
功率：150mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
输入电阻：1kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1KΩ
晶体管类型：PNP
功率：200mW
工作温度：-55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，10V
输入电阻：1kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
输入电阻：1kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
