品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:PNP
集电极电流(Ic):-500mA
特征频率:260MHz
工作温度:-55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo):-12V
功率:150mW
输入电阻:4.7KΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@5mA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
功率:150mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:260MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:200MHz
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@5mA,100mA
特征频率:260MHz
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):12V
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
功率:150mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:200MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:PNP
集电极电流(Ic):-500mA
功率:200mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
特征频率:200MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":37520}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
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包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:320mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:300mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:330mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:320mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):-500mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):-12V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):47@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:320mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: